【真空等離子設備】用等離子體聚合介質膜可保護電子元件，用等離子體沉積導電膜可保護電子電路及設備免遭靜電荷積累而引起損壞，用等離子體沉積薄膜還可以制造電容器元件。在電子工業、化學工業、光學等方面有許多應用。
①等離子體沉積硅化合物。用SiH4+N2O〔或Si(OC2H4)+O2 〕,制成SiOxHy。氣壓1～5托（1托≈133帕），電源13.5兆赫。氮化硅沉積用SiH4+SiH3+N2。溫度300℃，沉積率約180埃／分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反應劑得SixC1+x：H，x 是Si/Si+C比例。硬度大于2500千克／毫米2 。
在多孔基片上,用等離子體沉積一層薄聚合膜，制成選擇性的滲透膜及反滲透膜，可用于分離混合氣中的氣體，分離離子與水。也可以組合超薄膜層，以適應不同的選擇性，如分子大小，可溶性，離子親合性，擴散性等。【等離子Plasma】
在碳酸鹽-硅共聚物基片上,用一般方法沉積0.5毫米薄膜,氫／甲烷的滲透性比為0.85，甲烷的滲透性比氫的高。若用等離子體在基片上沉積苯甲氰單體,這一比值增為33,分離作用大為提高。
反滲透膜可用于海水脫鹽。在水流量低于一定閾值時，排鹽效果才好。烯烴族、雜芳香族及芳香胺等的聚合膜具有滿意的反滲透性。
②等離子體沉積膜可用于光學元件，如消反射膜，抗潮、抗磨損等薄膜。
