VCP系列 晶圓級等離子清洗系統
應用：濕制程后表面有機殘留去除、晶圓表面較小particle去除、晶圓表面較大particle去除及輔助去除、除膠后碳化物及其他有機物去除、晶圓級封裝前表面清洗、晶圓級封裝前表面活化處理、晶圓表面微鈍化處理等。
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| 編號 | 內容 | 規格參數 |
|---|---|---|
| 1 | 整機結構 | 帶load port系統分為前端設備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元，前端EFEM系統與等離子體處理單元分體式設計 |
| 2 | 等離子體源 | 射頻等離子體源或雙頻等離子體源 |
| 3 | 反應腔室 | 標準設計為雙反應腔室，可根據需求定制單反應腔室和多反應腔室結構 |
| 4 | 機械傳片 | 單臂或雙臂高精度機械手 |
| 5 | Wafer升降 | 機械式Wafer pin升降結構，Wafer pin采用特定工藝處理 |
| 6 | 真空泵 | 干式真空泵，根據安裝位置及工藝不同，選擇100-300m3/h規格。如工藝需求，可增加分子泵 |
| 7 | 工藝壓力控制 | 自動調壓蝶閥或固定旁通結構 |
| 8 | 真空檢測 | 管道真空計、反應腔室全量程真空計、工藝真空計 |
| 9 | 工藝氣體種類 | 標準配置Ar、N2、O2，可增加其他工藝氣體 |
| 10 | 氣體流量控制 | 質量流量控制器（MFC） |
| 設備主要應用：濕制程后表面有機殘留去除、晶圓表面較小particle去除、晶圓表面較大particle去除及輔助去除、除膠后碳化物及其他有機物去除、晶圓級封裝前表面清洗、晶圓級封裝前表面活化處理、晶圓表面微鈍化處理等。 設備主要特點：可兼容多尺寸晶圓、可實現多反應腔室定制、獨特的CCP等離子體源設計、高潔凈反應腔室，整機空間環境particle控制、可選擇射頻等離子發生器或雙頻等離子發生器、等離子體密度高、均勻性好、可升級超潔凈反應腔室系統。 |
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